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晶背供電:引爆台積電A16世代革命的關鍵技術?深度解析AI晶片效能與供應鏈新機遇

2025 年 12 月 24 日

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晶背供電:引爆台積電A16世代革命的關鍵技術?深度解析AI晶片效能與供應鏈新機遇

近期半導體市場因人工智慧(AI)應用的高速發展,相關討論持續升溫。當NVIDIA、AMD等巨頭推出的AI晶片功耗動輒突破1000瓦,傳統的晶片供電架構已然成為效能提升的最大瓶頸。

外部數據顯示,隨著製程技術推進至2奈米甚至更微小的「埃米(Angstrom)」等級,如何高效、穩定地為數百億個電晶體供應能源,正成為影響下一代晶片成敗的核心因素。在此背景下,晶背供電(Backside Power Delivery Network, BSPDN)技術浮上檯面,被視為延續摩爾定律的關鍵解方。

這場由台積電、Intel、三星主導的技術競賽,不僅牽動著全球半導體產業的未來,更為台灣的A16製程相關供應鏈帶來了前所未有的機遇與挑戰,其背後的真實影響值得深入探討。

晶背供電技術的出現,是為了解決AI時代高功耗晶片所面臨的物理極限,它將徹底改變晶片的設計與製造方式,成為2奈米以下先進製程的兵家必爭之地。

最新市場背景:為何晶背供電 (BSPDN) 成為半導體焦點?

當晶片從「奈米時代」邁向「埃米時代」,傳統的設計思維正遭遇前所未有的挑戰。過去數十年,工程師們習慣在晶片正面同時佈建訊號線路與電力線路,但在電晶體密度極高的情況下,這就像試圖在擁擠的巷弄裡同時規劃高速公路與鐵路,不僅互相干擾,更限制了整體效能的發揮。

💡 事件觸發點:AI 晶片功耗飆升與 2 奈米製程的物理極限

AI與高效能運算(HPC)應用是當前晶片發展的主要驅動力,但也帶來了驚人的功耗。單顆AI晶片的功耗從過去的300-500瓦,迅速攀升至1000瓦以上。在2奈米以下的製程中,電晶體之間的距離極度微縮,使得負責供電的金屬導線必須做得更細、更密。這直接導致了兩個致命問題:

  • 電阻增加:導線越細,電阻越大,能量在傳輸過程中損耗越多,並轉化為廢熱。
  • 電壓下降(IR Drop):電流經過高電阻路徑後,到達電晶體時的電壓會明顯下降,這會嚴重影響晶片的運算速度與穩定性,甚至導致晶片無法正常工作。

傳統的正面供電網路(FSPDN)在這場功耗競賽中已顯疲態,成為限制AI晶片發展的關鍵瓶頸。

💡 晶背供電與傳統技術的核心差異:解決 IR Drop 效能瓶頸

晶背供電(BSPDN)提出了一個革命性的解決方案:將「電力」與「訊號」徹底分流。它猶如為晶片打造了一個專屬的「供電高鐵」,將整個電力網路從擁擠的晶片正面,移至空間相對充裕的晶片背面。這帶來了根本性的改變:

比較項目 傳統正面供電 (FSPDN) 晶背供電 (BSPDN)
電力路徑 與訊號線路在正面金屬層爭搶空間,路徑長且繞。 從晶片背面直接供電,路徑短、導線更粗。
IR Drop 效能影響 電壓下降問題嚴重,限制晶片時脈與效能。 大幅降低電壓下降,提升電源完整性,預估可提升5%-10%效能。
佈線密度 電力與訊號線路互相干擾,佈線擁擠。 釋放正面空間,訊號線路佈局更優化,晶片密度可提升。
散熱效率 熱點集中在正面,散熱挑戰大。 供電網路移至背面,有助於改善散熱,降低熱點溫度。

簡單來說,BSPDN技術從根本上解決了先進製程中的供電瓶頸,為追求極致效能的AI晶片提供了必要的動力與穩定性。

市場趨勢與技術路線分析,晶背供電導入時程一次看

隨著BSPDN技術的重要性日益凸顯,全球三大晶圓代工巨頭——台積電、Intel與三星,已全面展開技術佈局,其量產時程成為市場關注的焦點,並直接影響相關概念股的股價表現。

💡 短期驅動因素:台積電 A16 與 Intel 18A 的量產時程競賽

這場技術競賽的領先者,無疑是Intel與台積電。Intel憑藉其整合元件製造(IDM)的優勢,採取了更激進的策略,而台積電則以穩健的步伐推進,力求在良率與成本上取得最佳平衡。

Intel – PowerVia

Intel率先在其Intel 20A製程中導入名為「PowerVia」的晶背供電技術,並計畫在2024年底至2025年量產的18A製程中大規模應用。此舉使其在時程上暫時領先,意圖藉此重返製程技術的領先地位。

台積電 – Super Power Rail

台積電則計畫在2026年下半年量產的A16製程中,導入其獨家的「Super Power Rail(超級電軌)」技術。雖然時程稍晚,但市場普遍預期台積電能憑藉其卓越的製程控制與龐大的生態系,後來居上。

Samsung – BSPDN

三星則規劃於2027年的SF2Z製程中導入其BSPDN方案,時程相對落後。其目標是透過此技術縮小晶片尺寸並提升能源效率,以爭取更多高階客戶訂單。

💡 中期觀察重點:良率提升速度、成本控制與客戶採用率

儘管量產時程是關鍵,但真正的決戰點在於中期的「良率」、「成本」與「客戶採用率」。晶背供電涉及複雜的晶圓薄化、對準、以及奈米矽穿孔(nTSV)等製程,初期的良率挑戰巨大。

哪家晶圓廠能更快地將良率提升至可商業化的水準,並有效控制成本,將直接決定其市場競爭力。NVIDIA、AMD、Apple等主要客戶的採用意願,將是檢驗各家技術成熟度的最終指標。

💡 市場情緒與跨市場連動:概念股股價反應與法人機構觀點

市場對晶背供電的期待已提前反映在股價上。凡是被點名可能切入相關供應鏈的廠商,其股價往往因一則新聞或法人報告而出現顯著波動。投資機構普遍認為,BSPDN是結構性的產業升級,將帶動一波新的設備與材料需求。

然而,投資人也需留意技術發展的不確定性,避免過度追高,應關注具備核心技術且已實際與晶圓廠合作的企業。

宏觀與產業巨頭佈局解析

晶背供電不僅是製程技術的革新,更是半導體巨頭們在AI時代下的一場關鍵戰略佈局。這場角力不僅限於晶圓代工廠之間,更深刻地受到全球AI趨勢的影響。

💡 晶圓代工廠技術角力:台積電 Super Power Rail vs. Intel PowerVia

台積電與Intel的技術路線,雖然大方向一致,但在細節上各有千秋。這背後反映了兩家公司不同的設計哲學與市場策略。

公司 技術名稱 導入製程 目標量產時間 技術特點與策略
Intel PowerVia Intel 20A / 18A 2024年底 – 2025年 策略激進,時程領先,旨在展示技術領導力,吸引客戶回流。
台積電 (TSMC) Super Power Rail (SPR) A16 2026年下半年 策略穩健,專注於良率與生態系整合,與GAA電晶體技術同步推出。
三星 (Samsung) BSPDN SF2Z 2027年 緊跟產業趨勢,力求在2奈米世代維持市場競爭力。

值得一提的是,比利時微電子研究中心(imec)在BSPDN的基礎概念與製程驗證上扮演了關鍵的先驅角色,為各大廠的技術發展奠定了重要基礎。

💡 全球 AI 趨勢影響:NVIDIA、AMD 等 AI 晶片大廠對 BSPDN 的需求

這場技術競賽的最終裁判,是NVIDIA、AMD等AI晶片設計公司。他們對高效能運算的需求永無止境,下一代AI晶片(如NVIDIA的Rubin平台)的設計,幾乎可以確定將高度依賴晶背供電技術。原因在於:

  • 支援高電流需求:BSPDN的低電阻路徑是唯一能穩定支撐未來大電流AI晶片的架構。
  • 提升高頻運作穩定性:更穩定的電壓有助於GPU在極高頻率下持續運作,發揮最大效能。
  • 先進封裝的基礎:對於CoWoS等3D IC封裝技術,BSPDN能讓各層晶片獨立從背面取電,是實現更複雜堆疊的必要條件。

因此,哪家晶圓廠能提供最成熟、最具成本效益的BSPDN方案,就最有可能拿下未來AI晶片的關鍵訂單。這也解釋了為何這項技術成為各大廠寸土必爭的戰略高地。對於想參與AI趨勢的投資者,可關注相關的AI晶片趨勢與投資機會

台灣供應鏈的潛在風險與機會

作為全球半導體製造重鎮,台灣供應鏈在這波晶背供電浪潮中,既迎來了巨大的市場機會,也伴隨著不容忽視的技術與營運風險。

可能的風險點

  • 技術導入延遲:如果台積電A16製程的量產時程或良率爬升不如預期,將直接衝擊已投入研發的供應鏈廠商,導致訂單延後或營收無法實現。
  • 製程整合複雜度:BSPDN涉及多項全新製程,如晶圓薄化、雷射鑽孔、精密對位等,供應鏈廠商能否克服技術整合的挑戰,並滿足台積電的嚴格標準,仍是未知數。
  • 初期資本支出高昂:切入新製程需要採購昂貴的設備與材料,對中小型廠商的財務將構成壓力。若市場需求不如預期,可能面臨資產閒置的風險。

💡 市場的利好機會:可切入 BSPDN 製程的台灣設備、材料與封測供應鏈

儘管存在風險,但機會同樣巨大。BSPDN製程的導入,將催生出一批新的「隱形冠軍」。法人機構普遍看好以下幾個領域的台廠將直接受惠:

核心要點:晶背供電受惠台廠供應鏈

  • 晶圓薄化與再生晶圓:此製程需要將晶圓背面磨薄以利電源連接,中砂(1560)的鑽石碟與再生晶圓服務,以及昇陽半導體(8028)的晶圓薄化代工,被視為核心受惠者。
  • 檢測與分析:新的製程帶來新的檢測需求,特別是在材料分析與故障檢測方面,汎銓(6830)等材料分析實驗室扮演關鍵角色。
  • 蝕刻與沉積設備:在晶圓背面進行開孔與金屬填充,需要新的蝕刻與原子層沉積(ALD)技術,部分本土設備廠有望切入此供應鏈。
  • 化學品與材料:製程中所需的特殊化學研磨液(CMP Slurry)、光阻劑等材料,也為台灣材料廠帶來新的成長動能。

對於投資者而言,深入了解這些公司的技術實力、與台積電的合作關係,以及在BSPDN製程中的具體角色,是抓住這波投資機遇的關鍵。

結論:晶背供電是延續摩爾定律的結構性升級

總體而言,晶背供電(BSPDN)不僅僅是一項技術的演進,更是應對AI時代晶片設計物理極限的必然革命。它從根本上重塑了晶片的供電架構,是推動半導體產業邁向2奈米及以下世代的關鍵引擎。這場由台積電、Intel主導的技術競賽,將在未來2-3年內決定誰能掌握先進製程的話語權,並深刻影響全球科技版圖。

對台灣而言,這既是挑戰也是巨大的機遇。台積電A16製程的成敗,將直接牽動國內龐大的半導體供應鏈。從設備、材料到檢測,一個全新的產業生態系正在圍繞著BSPDN成形。

投資者在關注此趨勢時,除了看好龍頭企業的發展,更應深入挖掘那些在特定製程環節中具備核心競爭力的「隱形冠軍」,但同時也必須謹慎評估新技術導入初期的良率與市場接納度風險。

常見問題 (FAQ)

1. 晶背供電 (BSPDN) 概念股有哪些?

市場普遍關注的台積電概念股中,與晶背供電技術直接相關的台灣供應鏈廠商主要集中在幾個關鍵製程領域:

  • 晶圓薄化/研磨:中砂(1560)、昇陽半導體(8028)。
  • 檢測分析:汎銓(6830)。
  • 設備製造:部分涉及蝕刻、原子層沉積(ALD)的本土設備商。
  • 特用化學品:提供CMP研磨液等材料的廠商。

提醒:以上僅為市場討論範疇,不構成任何投資建議。

2. 台積電 A16 製程預計何時開始量產?

根據台積電在2024年北美技術論壇上發布的官方資訊,搭載其晶背供電技術「Super Power Rail (SPR)」的A16製程,預計將於2026年下半年投入量產。此時程將使其與Intel的18A製程展開直接競爭。

3. 導入晶背供電技術對 AI 晶片效能有什麼具體好處?

對高功耗的AI晶片而言,導入晶背供電技術能帶來多項實質好處:

  • 提升運算效能:透過大幅降低IR Drop(電壓降),電源供應更穩定,讓晶片能在更高的時脈下穩定運行,直接提升算力。
  • 降低功耗與發熱:電力傳輸路徑變短、電阻變小,能量損耗減少,有助於降低整體功耗,並改善散熱問題。
  • 增加晶片密度:將供電網路移至背面後,晶片正面的空間得以釋放,可用於優化訊號線路佈局或容納更多邏輯單元,進一步提升晶片功能密度。
  • 強化先進封裝整合:為3D IC(如CoWoS)的垂直堆疊提供了更高效的供電方案,是未來先進封裝的基礎。

*本文內容僅代表作者個人觀點,僅供參考,不構成任何專業建議。

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